为英伟达(NVDA.US)提供HBM芯片的SK海力士表示，已与美国商务部签署一项初步协议，拟获得至多4.5亿美元的直接融资，并获得5亿美元的潜在贷款，以帮助在印第安纳州建立一个半导体封装生产基地。公司表示，将通过美国《芯片和科学法案》签署的非约束性初步备忘录获得资金。

另外，SK海力士计划通过“投资税收抵免”(Investment tax Credit)计划，向美国财政部申请最高相当于符合条件的资本支出的25%的税收优惠。

SK海力士表示，为满足提供AI存储器产品的计划，将按计划推进印第安纳州生产基地的建设。

SK海力士今年4月宣布，计划投资38.7亿美元在美国印第安纳州建立先进封装生产基地。这一举措预计将创造约1000个就业岗位。

该巨头还将与普渡大学等当地研究机构合作，进行半导体研究和开发。SK海力士CEO郭鲁正表示:“我们正与印第安纳州、普渡大学、美国企业合作伙伴一起，推进印第安纳州生产基地的建设，以最终通过西拉法叶城提供尖端人工智能存储器产品。”

当前，人工智能应用领域需求不断增加，HBM芯片在其中占据着重要地位，值此之际，SK海力士应运大举投资。

上个月有报道称，SK海力士计划在2028年之前投资103万亿韩元(约合748亿美元)，以加强其芯片业务，大约80%的资金将用于投资HBM芯片。全球HBM芯片市场由SK海力士、三星主导，其次是美国芯片制造商美光科技(MU.US)。

该公司还决定投资约9.4万亿韩元(约合68亿美元)在韩国龙仁市建立第一家芯片工厂。

《芯片法案》的资助旨在增加美国半导体制造和研究，尤其是在先进半导体方面。目前，包括英特尔(INTC.US)、三星、台积电(TSM.US)和美光在内的多家公司皆通过该法案获得了大量资金。